7 стр.
Материали 281-290 от 10
7 стр.
6 стр.
6 стр.
Макроструктурен и микросруктурен анализ
Металографския анализ се основава на отразяване на светлинен
4
0
0
4 стр.
Статични характеристики на MOS транзистор
Полевите транзистори са активни полупроводникови елементи. Техният принцип на действие се основава на управление на електрическото
2
0
0
3 стр.
5 стр.
: Изследване на обратните връзки в усилвателни стъпала.
1. Да се определи дълбочината на ООВ за следните случаи при Us = Ui = 1mV, f
4
0
0
3 стр.
Изследване на електростатично поле с помощта на електролитна вана
Моделирането на различни плоскопаралелни полета с помощта на
3
0
0
3 стр.
Последователно и паралелно съеденение на кондензатор и бобина с феромагнитен магнитопровод
Изследват се процесите при стационарни режими в прости вериги, които
5
0
0
2 стр.
Изследване на електронен стабилизатор на напрежение и защита от токово претоварване и напрежение
Да се изследва стабилизатора на напрежение при изключена ПОВ по ток и изкл. защита
3
0
0
3 стр.
Изследване на параметрични стабилизатори на постоянно напрежение
Стабилизаторите на напрежение и ток са предназначени да поддържат неизменна
16
0
0